微电子中心开展第三期学术研讨

创建时间:  2014-04-14  任春明   浏览次数:   返回

上海大学微电子中心于2014411 号开展了第三次学术研讨会议,在会议上周文强和吴浩就自己的研究课题进行了演讲,作为工科生,他们的语言显然是朴素的,但是却在朴素的语言之间,让微电子的同学们学习了很多。

周文强同学就noc(片上系统)展开了演讲,从总线式片上系统soc的优缺点、片上网路的出现、二维片上网络、三维片上网络四个方面入手,详细地讲解了为什么提出片上网络,提出片上网络的优点,进而对二维片上网络展开分析,详尽地阐述了它的优缺点。由于二维片上网络会增大开销面积,以及连线较长,会增大延时,就又提出三维片上网络。然后就又对三维片上网络进行了详细的展开分析,其核心技术是TSV(硅直通孔),通过TSV技术将二维片上系统连接,构成堆叠的三维片上网络,大大减小了连线的延时,减小面积开销,而且对片上系统的发展进行了分析,得出片上网络在不远的将来,会应用到越来越多深亚微米芯片设计中。

吴浩讲解行的课题是"同步开关噪声研究",他从研究背景、同步开关噪声原理模型、抑制技术三个大方面入手。提出随着集成电路尺寸不断缩小,集成电路表现出芯片频率增加、芯片内部尖峰电流增加、芯片供电电压减小这三个特性。并图文并茂地阐述了这三个特性的发展趋势,且得出:到2022年左右,芯片频率将会增加到20GHZ;当尺寸到25nm时,尖峰电流达到350A;供电电压不断减小,预计2015年时,噪声容限将少于100MV。最后推测出,集成电路的发展趋势一方面使芯片内部的同步开关噪声越来越严重,另一方面,芯片对噪声的敏感度越来越提高,同步开关噪声已经成为目前和未来集成电路设计的一个挑战。接下来,吴浩就同步噪声原理展开详细的分析,通过RLC模型分析提出其抑制技术。其中抑制技术包括:采用查分传输、采用多条引线、去耦电容这三个技术。

最后,通过这类似的学术研讨会议,这不仅仅开阔了学生的视野,同时,提供了学生间更多思想碰障的机会,加强了学术上的交流,是非常好的一次会议。

 

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